近年来，随着电源功率的增加，传统硅基(Si)功率装置的实体瓶颈愈发明显。如何在提升功率的同时，降低发热、缩小体积、减少成本，已成为半导体产业广泛关注的核心议题。第三代宽禁带半导体材料应用逐渐导入消费电子领域，大大帮助厂商设计高功率密度电源产品。其中碳化硅（SiC）半导体在功率组件领域具备更高的击穿电压、更大的电流承受能力和更宽的温度适应范围，且内阻温度漂移极小、热稳定性及可靠性皆优于传统硅(Si)组件。传统工业级中大功率电源应用中，因考虑能源效率及电源质量要求而需要功率因子修正(PFC)控制器，若又要搭配碳化硅(SiC)半导体，通常需要加上额外的专用驱动芯片及需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中简易实现整合。
当中大功率电源进入95%以上高效率时代，功率因子修正(PFC)单元的竞争已不再只看减少对电网的谐波污染(符合EMC标准)及使输入电流与电压波形同步(提高功率因子)的电网接口基本要求，而是转向更高效率与整体系统效能的全面优化的关键趋势。因此，通嘉科技近期推出可直驱碳化硅（SiC）半导体的临界导通模式(BCM)功率因子修正(PFC)控制器LD7597C，将有效降低了选用碳化硅（SiC）半导体到既采拓扑时的设计门坎。对高功率密度及高效率电源相关产品线要求下，开发者可以快速完成样机验证与效能评估，减少外部闸极驱动、电磁兼容调试与保护逻辑验证所耗费的人力与时间成本，加快样机迭代与量产准备。下图为LD7597C基础设计应用原理图。
图一 LD7597C应用电路图
根据通嘉科技（Leadtrend）针对 200W（400V/0.5A）评估板的实测对比，LD7597C 芯片在直接驱动190mΩ碳化硅（SiC）MOSFET时，展现出优于传统180mΩ超级结(Super Junction) MOSFET的技术优势。除芯片功耗显著减少(约-30%)外，当电源系统达到热平衡后，更能提升总效率(约+0.7%)，并让组件表面温度降低(约-10°C)。此数据证实碳化硅（SiC）方案在高功率密度与高温应用环境中，具有卓越的能效及热管理与可靠性表现。
通嘉科技致力于ACDC中大功率电源应用的完整解决方案的创新及研发，是业界少数有能力可同时提供ACDC电源管理芯片/同步整流IC/协议控制芯片整体方案的企业。通嘉科技一站式(Total Solution)芯片设计，将为客户提供高密度(体积小、携带方便)、兼容性高(可充带USB-C接口手机、平板、笔电)、安全快速充电(可变换输出电压、电流及功率)的真实体验。通嘉科技持续为客户提供更优异的电源完整解决方案，助力其产品能在市场中保持领先地位，同时也将实践通嘉『绿色电源，珍爱地球』的愿景。
以上系列产品均有样品供应，如需更详细信息，请联系通嘉业务或代理商，取得更多技术信息。
通嘉早已布局USB PD协议快充领域多年且推出了多种主流快充协议，可为不同功率、不同应用场景提供完整解决方案，助力客户迅速响应市场变化，抢占先机。通嘉科技继先前LD6615与LD6935 USB Power Delivery (USB PD) 3.0协议芯片后再推出专为 USB-C PD 低耗电的PPS与SPR AVX供电需求，量身打造符合最新 PD 3.2 认证与各国能源法规及 ESG 趋势的高效解决方案LD6615x2(TID: 14289)与LD6935x2(TID: 14288)快充协议芯片系列，SOP8/SOP10 封装与USB PD系统高度整合支持最大功率 100W（以 20V/5A 为典型应用范围）。新世代LD6615x2/LD6935x2 的操作电流相较于LD6612/LD6615节省了一半，大幅降低了IC的功耗符合目前环保的趋势和法规，使周边组件数量大幅减少、提供更高的电源功率密度，更进一步采极低功耗技术以满足长期发展高效节能目标。
此LD6615x2 / LD6935x2系列芯片具宽广的输入与输出规格，并在 10-pin 封装中可兼容 OTP、不带线正反插与附加PPS /AVS功能，提升生产效益及可靠性更能确保长期运作的稳定性与抗扰能力。
综合而言，LD6615x2 / LD6935x2 系列芯片除提供了高效、稳定且高度整合的 USB-C PD 供电解决方案，更能与USB –C PD紧密整合提升充电通用性与互操作性以符合新法规对外部电源、生态设计与可携式充电装置等的最新要求，在需高功率输出与多装置协同工作的场景中，同时满足严格法规、能源效率与 ESG 目标，为产品设计与量产提供一致性与长期价值。